檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "電子工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="氧化銦錫"
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本實驗使用離子束濺鍍法在玻璃基板上沉積氧化銦錫薄膜，利用改變基板溫 度及退火溫度來觀察薄膜特性的變化，分別使用室溫、100 及200℃來沉積薄膜。 在室溫下沉積未退火的ITO 薄膜呈現非晶結構，當薄…
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改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
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摘要 本實驗使用反應式離子束濺鍍法來沉積氧化銦錫薄膜於玻璃基板上，在室溫狀態下，分別透過改變氧氣流量、陽極電壓以及基板與靶材距離，來觀察不同製程參數下薄膜特性的變化。隨著氧氣流量增加，氧氣的低濺…